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CL21-100V-475J薄膜电容

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CL21-100V-475J薄膜电容详细参数

所属分类:金属薄膜电容器
产品型号:CL21-100V-475J
温度特性:聚乙酯
电容量:4.7μF
标准偏差:J±5%
本体直径:23mm
本体厚度:20mm
本体高度:12mm
引线间距:20mm
引线长度:3~20mm
引线直径:0.8mm
包封长度:无mm
额定电压:100VDC
耐压:185V
更新时间:
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电容器的失效是指电容器出现的故障。各种电子系统或者电子电路的重要组成部分一般是不同类型的元器件,当它需要的元器件较多时,则标志其设备的复杂程度就较高;反之,则低。一般还会把电路故障定义为:电路系统规定功能的丧失。根据不同的标准,对失效的分类一般主要有以下几种归类法。

以失效原因为标准:主要分为本质失效、误用失效、偶然失效、自然失效等。

以失效程度为标准:主要分为部分失效、完全失效。

以失效模式为标准:主要分为无功能、短路、开路等。

以失效后果的严重程度为标准:主要分为轻度失效、严重失效以及致命失效。

电容器的失效机理

电子元器件失效的机理也有不同分类,通常以其导致原因作为分类依据,主要可分为下面几种失效机理。

1.表层劣化:元器件钠离子遭污染然后造成沟道出现漏电、γ辐射有损、表面蠕变或击穿等;

2.设计问题造成的劣化:指单子元器件的电路、版图以及结构等方面出现的设计问题;

3.内部劣化:是指由CMOS 闭锁效应、二次击穿、重金属玷污、中子辐射损伤以及材料问题所引发的瞬间功率过载、结构性能退化等;

4.使用不当引起的损坏:指电浪涌损伤、静电损伤、过高温度造成的破坏、干扰信号导致的故障等;

5.金属化系统劣化:是指电子元器件内的铝电迁移、铝腐蚀、铝缺口等;

6.封装劣化:是指管腿出现腐蚀、漏气或壳内有外来物导致短路或漏电等;

关键词:CL21电容器475J100VDC4.7μF聚乙酯5%,薄膜电容475J,CL21电容

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